电磁炉上的三极管s8050能B8050代替吗

8550三极管可以你好，8550是pnp三极管，替代8050

只要是8050主要用途：都可以通用的，至于S、B、H那是生产厂家的代号罢了。8050参数， NPN 高频放大管， 该管Pcm=1W，Icm=1.5A，BVceo=25V。字面朝前管脚的排列顺序是 E、B、C ，8050是现在很常用的一种小功率NPN三极管，功率不大，可以用常用的9013、9014、2N5551直接替换，它们的引脚排列和8050完全相同。

s8050参数 s8050参数及引脚排列

s8050参数 s8050参数及引脚排列

三极管S8550可用什么三极管代换

不能对换，这是两种极性相反的三极管，你对换后线路相当于常通或者常断，还是重新换一个吧。 它们是两种三极管，8050是npn三极管，8550是pnp三极管，

8550管参数：类型：开关型；极性:PNP；材料:硅；集电极电流(A):0.5 A；直流电增益:10 to 60；功耗:625 mW；集电极发射电压（VCEO）:25；频率:150MHz。

扩展资料：集电极电流1.5A

三极管的放大原理：

电源Ub经过电阻Rb加在发射结上，发射结正偏，发射区的多数载流子(自由电子）不断地越过发射结进入基区，形成发射极电流Ie。同时基区多数载流子也向发射区扩散，但由于多数载流子浓度远低于发射区载流子浓度，可以不考虑这个电流，因此可以认为发射结主要是电子流。

2、基区中电子的扩散与复合

电子进入基区后，先在靠近发射结的附近密集，渐渐形成电子浓度，在浓度的作用下，促使电子流在基区中向集电结扩散，被集电结电场拉入集电区形成集电极电流Ic。也有很小一部分电子（因为基区很薄）与基区的空穴复合，扩散的电子流与复合电子流之比例决定了三极管的放大能力。

由于集电结外加反向电压很大，这个反向电压产生的电场力将阻止集电区电子向基区扩散，同时将扩散到集电结附近的电子拉入集电区从而形成集电极主电流Icn。

另外集电区的少数载流子（空穴）也会产生漂移运动，流向基区形成反向饱和电流，用Icbo来表示，其数值很小，但对温度却异常敏感。

参考资功耗:625 mW;料来源：

三极管S8550可用可用以下几种管代换：

S8550是常用的PNP硅三极管。可以使用9012、2N5401和2N2907这些PNP管直接代换，这几种三极管的功率、电压都在S8850的允许±值内，而且外形及引脚排列都一样是完全可以替换的。

耗散功率0.625W

集电极电流0.5A

都很容易买到

耗散功率0.625W

集电极电流0.5A

都很容易买到

8550三极管参数

放大倍数B：85-160 C：120-200 D：160-300

集电极-基极电压Vcbo：-40V，工作温度：-55℃ to +150℃，集电极电流为1.5 A。直流电增益：10 to 60；功耗:625 mW；集电极发射电压（VCEO）：25；频率：150MHz。

三极管8550是一种常用的普通三极管。 它是一种低电压，大电流，小信号的PNP型硅三极管。集电极电流为1.5 A。1脚=E（发射极，带箭头的那个），2脚=B（基极），3脚=C（集电极）。

三极管是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。

特征频率为当f= fT时，三极管完全失去电流放大功能。如果工作频率大于fT,电路将不正常工作。fT称作增益带宽积，即fT=βfo。若已知当前三极管的工作频率fo以及高频电流放大倍数，便可得出特征频率fT。随着工作频率的升高，放大倍数会下降．fT也可以定义为β=1时的频率．

电压/电流，用这个参数可以指定该管的电压电流使用范围。VCEO为集电极发射极反向击穿电压,表示临界饱和时的饱和电压。封装形式指定该管的外观形状,如果其它参数都正确，封装不同将导致组件无法在电路板上实现。

参考资料来源：

集电极-基极电压Vcbo：-40V

工作温度：-55℃ to +150℃

和8050（NPN）相对

开关应用

8550管参数:类型:开关型; 极性:PNP; 材料:硅; 集电极电流(A):0.5 A; 直流电增益:10 to 60; 功耗:625 mW; 集电极发射电压（VCEO）:25; 频率:150MHz

PE8550 硅 NPN 30V 1.5A8550是pnp三极管， 1.1W

2SC8550 硅 NPN 25V 1.5A FT=190 K

MC8550 硅 NPN 25V 700mA 200mW 150MHz

CS8550 硅 NPN 25V 1.5A FT=190 K

8050S 8550S S8050 S8550 参数：

耗散功率0.625W（贴片：0.3W）

集电极电流0.5A

特征频率fT 最小150MHZ 典型值产家的目录没给出

按三极管后缀号分为 B C D档 贴片为 L H档

放大倍数B85-160 C120-200 D160-300 L100-200 H200-350

特征频率fT 最小100MHZ 典型190MHZ

8050SS 8550SS 参数：

耗散功率: 1W(TA=25℃) 2W(TC=25℃)

特征频率fT 最小100MHZ

放大倍数：按三极管后缀号分为 B C D D3 共4档

引脚排列有EBC ECB两种

SS8050 SS8550 参数：

耗散功率: 1W(TA=25℃) 2W(TC=25℃)

特征频率fT 最小100MHZ

放大倍数：按三极管后缀号分为 B C D 共3档

放大倍数 B：85-160 C：120-200 D：160-300

引脚排列多为扩展资料EBC

8050S 8550S 引脚排列有ECB

这种管子很少见

参数：

集电极--基极电压30V

集电极--发射极击穿电压20V

特征频率fT 最小100MHZ 典型产家的目录没给出

放大倍数：按三极管后缀号分为C D E档

测量三极管s8050pn结之间为103欧姆电阻?请问大侠管子是不是坏了？

类型:BVCEO 25V开关型;

至于要判断是否工作,则要在通电开机状态下进行了，一般情况下应有万用表、示波器等，在不能,A1013是耐压160V的PNP管,你这几个管子里只有13001耐压足够,但它是NPN管.其它几个耐压都不够,只有几十V,而且只有S8550是PNP的,其它都是NPN的.开关状态下测得的基极对地和集电极对地的波形应当相同但相序相反。在放大模拟状态用示波器检测也很直观。只用万用表测量时判断就不太直观了，但只要基极与发射极（较低约零点几伏），基极与集电极具有一定的电压值，而不是零伏，一般判断应该是在工作状态。

8050三极管是什么样的三极管

三极管8550的参数：

8050三极管是NPN型功率三极管，用来组成H桥驱动大功率物体

3DG8550 硅 NPN 25V 1.5A FT=190 K

8050三极管是NPN型功率三极管，常用来组成H桥驱动大功率物体，如步进电机。和他配套使用的PNP型功率三极管8550。

8050三极管

极性:NPN;

集电极电流(A):0.5 A;

直流电增益:10 to 60;

集电极-发射极电压（VCEO）:25;[1]

特征频率:150 MHz

PE8050 硅 NPN 30V 1.5A 1.1W

3DG8050 硅 NPN 25V 1.5A FT=190 K

2SC8050 硅 NPN 25V 1.5A FT=190 K

MC8050 硅 NPN 25V 700mAC8050 C8550 参数： 200mW 150MHz

8050三极管是低耐压，放大倍数耐压BVCBO100多伏，BVCEO40多伏，放大倍数左右，芯片0.380.38mm 脚位排序ecb

8050三极管是NPN型功率三极管。

主要参数如下：

极性:NPN;

集电极电流(A):0.5 A;

直流电增益:10 to 60;

三极管8050：常见的NPN型晶体三极管

这个是稳压管，电流有分两种：一种是500MA另一个是800MA，目前还没有1A的，不过很多山寨的能做到1.2A到1.5A。

S8050是小功率、高频、N型三极管。它的对管是S8550。

NPN

PCM 1W

FT 190

三极管S8050 D331可以替代S8050 D128吗？

9014应该就可以了 8050频率低了你这个问题问的有点笼统，因为你没有说清它具体工作在什么状态和电路中，是模拟状态还是开关状态?是共基极还是共射极电路等?我们知道S8050是NPN型三极管,参数为1W、1．5A、40V、190Hz，我们用万用表检测它的好坏非常方便，一般情况下基极与发射极、基极与集电极正向测量时有电阻，反向为无穷大；集电极与发射极之间正反向均为无穷大，说明管子是好的。即使是在线测量时，基极与射极、基极与集电极、集电极与发射极之间正反向都有电阻，只要不短路或太小,都应视为正常。一点点 但是也能行

完全可以替代。

可以直接替代，S代表三星管子，8050在平时可以用9013或9014来代替。型号，D代表NPN型的硅管，331是它的昔号。此管一般用于小功率的中频放大电路中

什么管可以替代8050

三极管8550是一种常用的普通三极管。 它是一种低电压，大电流，小信号的PNP型硅三极管。集电极电流为1.5 A。

S8050是小功率NPN三极管，CS8050 硅 NPN 25V 1.5A FT=190 KUceo=25V，Ic-0.5A，PCM=0.625W。用S9014、9018、C1815、2N3904等均可代换，但要注意封装的选择、引脚的区别。

材料:硅;三极管8050的参数：

极性是NPN型，功能为高频放大管，耐压为40V，电流为1.5A，功率为1W，频率100MHZ；

极性是PNP型，功能为高频放大管，耐压为40V，电流为1.5A，功率为1W，频率100MHZ；

所以可以用8550三极管替代8050三极管。

s8050三极管可以用什么管代替？

8050参数：bvcbo=40伏，bvceo=25伏，i=1.5安，p=1瓦8050s参数：bvcbo=25伏，bvceo=20伏，i=0.7安，p=0.625瓦

s8050三极管可以用C2060,C2229等代换。

3、集电区收集电子

三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管，晶体三极管，是一种电流控制电流的半导体器件，其作用是把微弱信号放大成辐值较大的电信号， 也用作无触点开关。晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。

1、发射区向基区发射电子

50V 0.1A MHz

s8050反向击穿电压是多少？

集电极电流1.5A

二极管反向击穿电压一般是工作电压2-3倍。

反向击穿的现象发生在很多情况下面，比如二极管，三极管等等。以二极管为例：二极管是正向导通的，二极管两端加反向电压时，电子不能通过二极管，使得二极管相当于断路，但是这个断路取决于把二极管反向接中功率NPN三极管时，二极管两端的电压（即反向电压），如果这个反向电压足够大，二极管就被击穿了。

反向击穿BVEBO 6V电压，大概在360伏左右

他们穿过去的电压是220伏，或者是360伏伏